9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4586GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4586GP-E3/73参考价格$0.422。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4586GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC。您可以下载1N4586GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4586GP-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.012346盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AC、DO-15，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AC（DO-15），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
1N4585GP-E3/54，带有用户指南，其中包括1V@1A电压正向Vf Max，如果设计用于800V电压直流反向Vr Max，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AC（DO-15），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计用于SUPERECTIFIERR，以及2μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AC，DO-15，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4584AUR-1，带有Microsemi制造的电路图。是二极管、整流器-阵列的一部分，支持整流器0TC参考电压齐纳、齐纳二极管。
