9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4933-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4933-E3/73参考价格$3.236。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4933-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL。您可以下载1N4933-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4933是DIODE GEN PURP 50V 1A DO41，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了R0中使用的零件别名，R0提供单位重量功能，例如0.010935盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为300ns，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为200ns。
1N4933-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL，包括1.2V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在50V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AL（DO-41）的供应商设备包，其提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），反向恢复时间trr设计为200ns，除了切割胶带（CT）替代包装外，该器件还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装盒，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
1N4932A是DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35，包括36欧姆阻抗最大Zzt，设计用于通孔安装型，其工作温度范围为-55°C~100°C，提供DO-204AH、DO-35、轴向等包装箱功能。包装设计用于散装工作，以及最大500MW功率，该设备也可以用作DO-35供应商设备包。此外，公差为±5%，该器件提供19.2V电压齐纳标称Vz。
