9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4934GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4934GP-E3/73参考价格$3.646。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4934GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL。您可以下载1N4934GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4934G是DIODE GEN PURP 100V 1A DO41，包括1N4934系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装替代包装，提供0.010935盎司等单位重量功能，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为300ns，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为300ns。
1N4934GP-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL，包括1.2V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AL（DO-41）的供应商设备包，其提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及200ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作切割胶带（CT）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4934GP是DIODE GEN PURP 100V 1A DO41，包括12pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~150°C的工作温度结范围，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供150ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-41，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A。
