9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4942GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4942GP-E3/73参考价格为0.312美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4942GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载1N4942GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4942GP-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供零件别名功能，如1N4942GP E3/73，单位重量设计为0.011711盎司，以及通孔安装样式，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-204AL（DO-41）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为200V，并且Ir反向电流是1uA，并且如果正向电流是1A，并且最大浪涌电流是25A，并且恢复时间是150ns。
1n4942是DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.3V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了200V中使用的电压DC反向Vr Max，其提供了1.2 V等Vf正向电压特性，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作150ns恢复时间。此外，该产品是快速恢复整流器，该设备采用散装包装，该设备具有a，轴向包装箱，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作连接温度范围为-165℃~175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，其最低工作温度范围是-65℃，最大浪涌电流为25 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为45pF@12V，1MHz。
1N4942G-B是整流器1A 200V 150ns GP，包括单一配置，它们设计为在1 a下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计为在30 a下工作，它的最小工作温度范围是-65 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为DO-41，该设备为散装包装，该设备具有产品快速恢复整流器，恢复时间为150纳秒，单位重量为0.010935盎司，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为200 V。
