9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4946GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4946GP-E3/73参考价格$1.2。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4946GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL。您可以下载1N4946GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4946GP-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供零件别名功能，如1N4946G-PE3/73，单位重量设计为0.011711盎司，以及通孔安装类型，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-204AL（DO-41）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为600 V，并且Ir反向电流为1uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为25A，并且恢复时间为250ns。
1N4946是DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.3V@1A电压正向Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，提供1.2 V等Vf正向电压特性，供应商设备包设计用于轴向，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作250ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为250 ns，该设备为快速恢复整流器产品，该设备具有大量包装，包装箱为a，轴向，其工作温度范围为-65℃至+175℃，工作温度连接范围为-65℃至175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为25 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@600V，平均整流电流Io为1A，配置为单一，而电容Vr F在12V、1MHz时为25pF。
1N4944-T是整流器1A 400V 150ns，包括单一配置，它们设计为在1 a下工作。如果数据表注释中显示了5 uA下使用的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计为在30 a下工作，它的最小工作温度范围是-65 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为DO-41，该设备采用卷筒包装，该设备具有产品快速恢复整流器，恢复时间为150纳秒，单位重量为0.010935盎司，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为400 V。
