9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4948GP-E3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4948GP-E3/73参考价格$1.776。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4948GP-E3/73封装/规格:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL。您可以下载1N4948GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4948GP-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于切割胶带(CT)替代包装,提供零件别名功能,如1N4948GP-E3/73,单位重量设计为0.011711盎司,以及通孔安装样式,该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外,安装类型为通孔,该设备在DO-204AL(DO-41)供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为1μa@1000V,电压正向Vf Max If为1.3V@1A,电压直流反向Vr Max为1000V(1kV),电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为500ns,电容Vr F为15pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为1.3V,Vr反向电压为1000V,并且Ir反向电流为1uA,并且如果正向电流为1A,则最大浪涌电流为25A,并且恢复时间为500ns。
1N4948GP/1是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL,包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V(1KV)直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DO-204AL(DO-41)中使用的供应商设备包,其提供快速恢复=200mA(Io)等速度功能,以及500ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为DO-204AL,DO-41,轴向,其工作温度结范围为-65°C~175°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为1μa@1000V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为15pF@4V,1MHz。
1N4948GP/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL,包括15pF@4V,1MHz电容Vr F,设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于1μa@1000V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,其工作温度范围为-65°C~175°C,该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外,包装为磁带和卷轴(TR),该设备以500ns反向恢复时间trr提供,该设备具有系列的SUPERECTIERR,速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为DO-204AL(DO-41),直流反向电压Vr最大值为1000V(1kV),正向电压Vf最大值If为1.3V@1A。