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CD214A-FS1600是DIODE CHIP 600V 1A DO214AC，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.003739盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.7V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为25 A，恢复时间为35 ns。
CD214A-R11000是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品为标准回收整流器，该设备采用胶带和卷筒（TR）包装，该设备具有DO-214AC，SMA封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为30A，它的最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@1000V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
CD214A-R1100是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括12pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，数据表注释中显示了用于1A的电流平均整流Io，其提供电流反向泄漏Vr特性，例如5μa@100V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，该器件提供30 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~175℃，封装外壳为DO-214AC，SMA，包装为磁带和卷轴（TR），产品为标准恢复整流器，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），单位重量为0.00739盎司，Vf正向电压为1 V，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1V@1A，Vr反向电压为100 V。
