9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5617GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5617GP-E3/73参考价格$0.516。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5617GP-E3/73包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC。您可以下载1N5617GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5617GP-E3/54是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.014991盎司，安装样式设计用于通孔，它的工作温度范围为-65℃至+175℃，该设备也可以用作DO-204AC、DO-15、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-204AC（DO-15）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@400V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为25pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为25uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为150ns。
1N5617是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.6V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供1.2 V等Vf正向电压特性，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作150ns恢复时间。此外，该产品是快速恢复整流器，该设备采用散装包装，该设备具有a，轴向包装箱，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作连接温度范围为-165℃~175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，其最低工作温度范围是-65℃，最大浪涌电流为25 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@400V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为35pF@12V，1MHz。
带电路图的1N5617GI管封装中提供1N5617GI，是IC芯片的一部分。
