9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5621GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5621GP-E3/73参考价格$0.42。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5621GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC。您可以下载1N5621GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5621GP-E3/54是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.014991盎司的包装，具有通孔等安装样式特征，包装箱设计用于DO-204AC、DO-15、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-204AC（DO-15）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@800V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为300ns，电容Vr F为25pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为0.5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为300 ns。
1N5621是DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.6V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压DC反向Vr Max，提供了1.2 V等Vf正向电压特性，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及300ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作300ns恢复时间。此外，该产品是快速恢复整流器，该设备采用散装包装，该设备具有a，轴向包装箱，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作连接温度范围为-165℃~175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，其最低工作温度范围是-65℃，最大浪涌电流为25 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为500nA@800V，平均整流电流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为20pF@12V，1MHz。
1N5620USJANTX，带有Microsemi制造的电路图。是IC芯片的一部分。
