9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BA159GPE-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BA159GPE-E3/73价格参考$0.302。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BA159GPE-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL。您可以下载BA159GPE-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BA159GP-E3/73是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于BA159GP-E3/54，提供0.011640盎司等单位重量功能，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为1000V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为20A，恢复时间为500ns。
BA159GPE-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-204AL（DO-41）中使用的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该器件还可以用作快速恢复整流器产品。此外，该封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，该器件采用DO-204AL、DO-41轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μA@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
BA159GPE-E3/53是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外，包装为磁带盒（TB），该设备在快速恢复整流器产品中提供，该设备具有500ns的反向恢复时间trr，系列为AEC-Q101，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-204AL（DO-41），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A。
