9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BY253P-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY253P-E3/73参考价格为2.235868美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BY253P-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD。您可以下载BY253P-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BY253GP-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及SUPERECTFIER商品名，该装置也可用作DO-201AD轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.1V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是3A，并且最大浪涌电流是100A，并且恢复时间是3000ns。
BY253P-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.1V@3A正向电压Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.1 V正向电压特性，单位重量设计为0.038801盎司，以及DO-201AD供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为3μs，该设备的恢复时间为3000 ns，该设备具有产品的标准恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为150 A，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，平均整流电流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
BY253GPHE3/54是二极管GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括40pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-65°C~175°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.1V@3A。
