9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GPP60BEE3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GPP60BEE3/54参考价格$1.838。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GPP60BEE3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 6A P600。您可以下载GPP60BEE3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GPP60B-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 6A P600，包括标准回收整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.074075盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于P600，轴向，以及通孔安装类型，该设备也可以用作P600供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.1V@6A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为5.5μs，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为6 A，最大浪涌电流为500 A，恢复时间为5500 ns。
GPP60B-E3/73是DIODE GEN PURP 100V 6A P600，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@6A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于100V的直流反向Vr Max，该100V提供1.1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.074075盎司，以及P600供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为5.5μs，该设备的恢复时间为5500 ns，该设备具有产品标准恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为P600，轴向，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为500 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为6 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@100V，电流平均整流Io为6A，配置为单一。
GPP60AHE3/73是DIODE GEN PURP 50V 6A P600，包括单一配置，它们设计用于6A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于6 a，以及5 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为500 A，最小工作温度范围是-55℃，该设备有一个安装型通孔，安装类型为通孔，其工作温度连接范围为-55℃~175℃，包装箱为P600，轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，产品为标准恢复整流器，恢复时间为5500 ns，反向恢复时间trr为5.5μs，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为P600，单位重量为0.074075 oz，Vf正向电压为1.1 V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.1V@6A，Vr反向电压为50V。
