9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSB2200S-M3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSB2200S-M3/73参考价格为0.412美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSB2200S-M3/73封装/规格：DIODE SCHOTTKY 2A 200V AXIAL。您可以下载VSB2200S-M3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSB20L45-M3/54是DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600，包括肖特基整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.074075盎司，提供轴向、商标名称等安装方式功能，设计用于TMBS，以及P600轴向包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为通孔，该设备在P600供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为5mA@45V，电压正向Vf Max If为390mV@5A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为7.5A，电容Vr F为2470pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C~150°C，If正向电流为20 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为250 A。
带用户指南的VSB20L45-M3/73，包括580mV@20A电压正向Vf Max。如果设计为在45V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了P600中使用的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于TMBSR，以及磁带盒（TB）替代包装，该器件也可作为P600轴向封装外壳使用，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1.2mA@45V，电流平均整流Io为6.5A，电容Vr F为2050pF@4V，1MHz。
VSB2200S，带有VIS制造的电路图。VSB2200S采用TO-41封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
