9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-10ETF02STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-10ETF02STRLPBF参考价格为0.594美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-10ETF02STRLPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK。您可以下载VS-10ETF02STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-10ETF02SPBF是DIODE RECT 200V 10A D2PAK，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与管交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于10ETF02SPB F的零件别名，该10ETF03SPBF提供单位重量功能，如0.070548盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2PAK（2引线+标签），TO-263AB封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB（D2PAK），该设备采用单双阳极配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μa@200V，电压正向Vf Max If为1.2V@10A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为10A，反向恢复时间trr为200ns，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.2V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为100uA，如果正向电流为10A，最大浪涌电流为160A，恢复时间为145ns。
VS-10ETF02STRL-M3，带用户指南，包括1.2V@10A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为200ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@200V，并且电流平均整流Io为10A。
带有电路图的VS-10ETF02S-M3，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，封装外壳设计为在to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备还可以用作200ns反向恢复时间trr。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有200V的直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.2V@10A。
