9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-10ETF12STRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-10ETF12STRRPBF参考价格为3.478美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-10ETF12STRRPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB。您可以下载VS-10ETF12STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-10ETF12STRLPBF是DIODE RECT 1200V 10A D2PAK，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于10ETF12STRPBF的零件别名，该10ETF12STRLPBF提供单位重量功能，如0.070548盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，该设备也可用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB（D2PAK），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.33V@10A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为10A，反向恢复时间trr为310ns，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.33V，Vr反向电压为1200V，Ir反向电流为100uA，如果正向电流为10A，最大浪涌电流为160A，恢复时间为310ns。
带有用户指南的VS-10ETF12STRL-M3，包括1.33V@10A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为310ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1200V，并且电流平均整流Io为10A。
带有电路图的VS-10ETF12STRR-M3，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@1200V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为310ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的D2PAK，电压DC反向Vr Max为1200V（1.2kV），电压正向Vf Max If为1.33V@10A。
