9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-10ETS12STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-10ETS12STRLPBF参考价格为0.482美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-10ETS12STRLPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB。您可以下载VS-10ETS12STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-10ETS12S-M3，带有引脚细节，包括无恢复时间整流器产品，它们设计用于管交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，其工作温度范围为-40 C至+150 C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+标签），TO-263AB封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.1V@10A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为10A，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1200 V，Ir反向电流为50 uA，If正向电流为10 A，最大浪涌电流为160 A。
VS-10ETS12SPBF是DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK，包括1200V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@10A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了1200V（1.2KV）中使用的直流反向电压Vr Max，提供1.1V等正向电压特性，单位重量设计为0.070548盎司，以及TO-263AB（D2PAK）供应商设备包，该设备也可用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品是标准回收整流器，该设备以10ETS12SPBF零件别名提供，该设备有一个包装管，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-40°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-40 C，最大浪涌电流为200 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为10 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50μA@1200V，电流平均整流Io为10A，配置为单一。
带有电路图的VS-10ETS12STRL-M3，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@1200V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@10A。
