9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWS12STRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWS12STRPBF参考价格为7.616美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWS12STRPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK。您可以下载VS-8EWS12STRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8EWS12STRLPBF是DIODE RECTIFIER 1200V 8A DPAK，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于8EWS12STRPBF的零件别名，该8EWS12STRLPBF提供单位重量功能，如0.009185盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-252-3中工作，DPak（2引线+接线片），SC-63封装盒，该设备也可用作表面安装型。此外，供应商设备包为D-PAK（TO-252AA），该设备采用单双阳极配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为8A，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1200 V，Ir反向电流为50 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为200 A。
带有用户指南的VS-8EWS12STRL-M3，包括1.1V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有50μa@1200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为8A。
带有电路图的VS-8EWS12STR-M3，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片），SC-63包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备采用D-PAK（TO-252AA）供应商设备包，该设备具有1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@8A。
