9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BY255GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY255GP-E3/73参考价格$2.594。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BY255GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD。您可以下载BY255GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BY255GP-E3/54是DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及SUPERECTFIER商品名，该装置也可用作DO-201AD轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@1300V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为1300V（1.3kV），电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1300 V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是3A，并且最大浪涌电流是100A，并且恢复时间是3000ns。
BY254P-E3/73是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的直流反向电压Vr Max，该800V提供1.1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.038801盎司，以及DO-201AD供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为3μs，该设备以3000 ns恢复时间提供，该设备具有产品标准恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为150 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@800V，电流平均整流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
BY255是MSC制造的1.3KV 3A 2引脚DO-201AD二极管。BY255在DO-201AD封装中可用，是IC芯片的一部分，并支持二极管1.3KV 3A 2引脚DO-201AD。
