9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVBM110LT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NRVBM110LT3G参考价格为0.496美元。onsemi NRVBM110LT3G包装/规格：二极管肖特基10V 1A电源。您可以下载NRVBM110LT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVBM110LT1G是二极管肖特基10V 1A电源，包括POWERMITER系列，它们设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供了螺丝等安装方式功能，包装盒设计用于DO-216AA，以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为Powermite，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@10V，电压正向Vf Max If为415mV@2A，电压直流反向Vr Max为10V，电流平均整流Io为1A，它的工作温度结范围为-55℃~125℃，最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-55℃，2 A时Vf正向电压为0.415 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为10 V，Ifsm正向浪涌电流为50 A。
NRVBM110ET1G是DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE，包括595mV@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在10V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于POWERMITE的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于POWERMITER，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-216AA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为1μa@10V，电流平均整流Io为1A。
NRVBD660CTT4G是二极管阵列肖特基60V 3A DPAK，包括双配置，它们设计为在6 a的情况下工作，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为DPAK-3，该设备采用卷筒包装，该设备具有肖特基产品整流器，系列为MBRD660CT，技术为Si，单位重量为0.012346盎司，6 a时Vf正向电压为0.9 V，Vrm重复反向电压为60 V。
