9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N1188R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N1188R参考价格2.988美元。Microchip Technology JATX1N1188R包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB。您可以下载JATX1N1188R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N1184R是DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB，包括军用MIL-PRF-19500/297系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-203AB、DO-5、螺柱的包装箱，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，供应商设备包设计用于DO-5，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，该器件提供1.4V@110A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为35A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N1184是DIODE GEN PURP 100V 35A DO5，包括1.4V@110A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-5，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/297，以及散装包装，该器件也可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为螺柱安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为35A。
JATX1N1186是DIODE GEN PURP 200V 35A DO5，包括35A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了螺柱安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-203AB、DO-5，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/297，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有DO-5供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.4V@110A。
