9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVBM120ET3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NRVBM120ET3G参考价格为0.27000美元。onsemi NRVBM120ET3G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 20V 1A电源。您可以下载NRVBM120ET3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVBM110LT1G是二极管肖特基10V 1A电源，包括POWERMITER系列，它们设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供了螺丝等安装方式功能，包装盒设计用于DO-216AA，以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为Powermite，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@10V，电压正向Vf Max If为415mV@2A，电压直流反向Vr Max为10V，电流平均整流Io为1A，它的工作温度结范围为-55℃~125℃，最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-55℃，2 A时Vf正向电压为0.415 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为10 V，Ifsm正向浪涌电流为50 A。
NRVBM110LT3G是DIODE SCHOTTKY 10V 1A电源，包括10 V Vrm重复反向电压，它们设计为在415mV@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于10V的电压直流反向Vr Max，它提供了2 a时0.415 V的正向电压特性，以及Powermite供应商设备包，该设备也可用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为POWERMITER，该器件为肖特基二极管产品，该器件具有胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-216AA，其工作温度接合范围为-55°C~125°C，安装类型为螺钉，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55C，它的最大工作温度范围为+125 C，Ir反向电流为500 uA，Ifsm正向浪涌电流为50 A，如果正向电流为1 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μA@10V，电流平均整流Io为1A，配置为单一。
NRVBM120ET1G是二极管肖特基20V 1A电源，包括单一配置，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@5V，提供二极管类型的特性，如肖特基（SCHOTTKY），如果正向电流设计用于1A，以及50 a Ifsm正向浪涌电流，该设备也可作为10 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备具有安装类型的表面安装，安装类型为螺钉，其工作温度结范围为-65℃~150℃，包装箱为DO-216AA，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，产品为肖特基二极管，系列为POWERMITER，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为Powermite，技术为Si，在2A时Vf正向电压为0.595V，电压DC反向Vr Max为20V，电压正向Vf Max If为595mV@2A，Vrm重复反向电压为20V。
