9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N1202AR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2012年1月1日，参考价格为4.44美元。Microchip Technology JAN1N1202AR封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA。您可以下载JAN1N1202AR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN11188R是DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB，包括军用MIL-PRF-19500/297系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-203AB、DO-5、螺柱的包装箱，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装、供应商设备包设计用于DO-5，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准、反极性二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@400V，该设备提供1.4V@110A电压正向Vf Max。如果，该设备具有400V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为35A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JAN1N1190R是DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB，包括1.4V@110A正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-5的供应商设备包，该DO-5提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了散装包装外，该设备还可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为35A。
JAN1N1190是二极管GEN PURP 600V 35A DO203AB，包括35A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-203AB、DO-5，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/297，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有DO-5供应商设备包，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为1.4V@110A。
