9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWF02SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWF02SPBF参考价格为0.394美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWF02SPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 8A TO252。您可以下载VS-8EWF02SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8ETX06STRLPBF是DIODE HYPERFAST 8A D2PAK，包括Automotive、AEC-Q101、FRED PtR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装。数据表注释中显示了用于to-263-3、D2PAK（2引线+标签）、to-263AB的包装盒，供应商设备包设计用于to-263AB（D2PAK），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为50μA@600V，该器件提供3V@8A电压正向Vf Max。如果，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，平均整流电流Io为8A，反向恢复时间trr为31ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
VS-8ETX06STRRPBF是DIODE HYPERFAST 8A D2PAK，包括3V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、FRED PtR、，以及17ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为50μa@600V，电流平均整流Io为8A。
VS-8EWF02S-M3是DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作100μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63包装盒，该设备也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为55ns，设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，设备具有供应商设备包的D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.2V@8A。
