9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8ETL06PPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8ETL06PPBF价格参考2.388美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8ETL06PPBF封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP。您可以下载VS-8ETL06PPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8ETH06STRPBF是DIODE HYPERFAST 8A 600V D2PAK,包括Automotive、AEC-Q101、FRED PtR系列,它们设计用于超快恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴(TR)替代包装的包装,该包装提供了8ETH06SRRPBF等零件别名功能,单位重量设计为0.070548盎司,除了SMD/SMT安装样式,该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒。此外,安装类型为表面安装,该设备采用TO-263AB(D2PAK)供应商设备包提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为50μa@600V,电压正向Vf Max If为2.4V@8A,电压反向Vr Max为600V,电流平均整流Io为8A,反向恢复时间trr为25ns,工作温度结范围为-65℃~175℃,最大工作温度范围为+175℃,最小工作温度范围-65℃,Vf正向电压为2.4 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为50 uA,如果正向电流为8A,最大浪涌电流为90A,恢复时间为25ns。
VS-8ETL06-1PBF是DIODE GEN PURP 600V 8A TO262,包括1.05V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下工作,供应商设备包如数据表注释所示,用于to-262,提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,系列设计为在FRED PtR下工作,以及250ns反向恢复时间trr,该装置也可以用作管包装。此外,封装外壳为TO-262-3长引线、I2Pak、TO-262AA,其工作温度结范围为-65°C~175°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@600V,电流平均整流Io为8A。
带有电路图的VS-8ETL06FP-N3,包括8A电流平均整流Io,它们设计为在50μa@600V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装型功能,如通孔,其工作温度结范围为-65°C~175°C,以及to-220-2全封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,反向恢复时间trr为25ns,该设备为FRED PtR系列,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),供应商设备包为TO-220全包,电压DC反向Vr Max为600V,电压正向Vf Max If为2.4V@8A。