9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWF12SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWF12SPBF价格参考1.692美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWF12SPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252。您可以下载VS-8EWF12SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8EWF10STR-M3，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如D-PAK（to-252AA），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.3V@8A，该器件提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有8A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为270ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
带有用户指南的VS-8EWF10STRR-M3，包括1.3V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在1000V（1kV）直流反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为270ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63包装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该设备为表面安装安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，并且电流平均整流Io为8A。
VS-8EWF12S-M3是DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在1200V电流反向泄漏Vr下工作100μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-252-3，DPak（2引线+标签），SC-63包装盒，该设备也可以用作替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为270ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有TO-252（D-Pak）供应商设备包，直流反向电压Vr最大值为1200V（1.2kV），正向电压Vf最大值If为1.3V@8A。
