9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWS12SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWS12SPBF参考价格为0.406美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWS12SPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252。您可以下载VS-8EWS12SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8EWS10STRLPBF是DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于8EWS10STRPBF的零件别名，该8EWS10STRLPBF提供单位重量功能，例如0.009185盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-252-3中工作，DPak（2引线+接线片），SC-63封装盒，该设备也可用作表面安装型。此外，供应商设备包为D-PAK（TO-252AA），该设备采用单双阳极配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.3V@8A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为80ns，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为200A。
VS-8EWS10SPBF是DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@8A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.009185盎司，以及D-Pak供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品是标准回收整流器，该设备以8EWS10SPBF零件别名提供，该设备有一个包装管，包装箱为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-55C，最大浪涌电流为200 A，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50μA@1000V，电流平均整流Io为8A，配置为单双阳极。
VS-8EWS12S-M3是DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63包装盒，该设备也可以用作管包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备采用D-PAK（TO-252AA）供应商设备包，该设备具有1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@8A。
