9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N3673A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N3673A参考价格$7.542。Microchip Technology JATX1N3673A包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA。您可以下载JATX1N3673A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N3671AR是DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/260系列，它们设计用于散装包装，安装类型如数据表注释所示，用于螺丝，提供包装箱功能，如DO-203AA、DO-4、螺柱，安装类型设计用于底盘、螺柱安装以及DO-203AB（DO-4）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，反向极性，该器件提供5μA@800V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.35V@38A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为12A，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
JATX1N3647是DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL，包括5V@250MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在3000V（3KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于S、轴向的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了散装包装外，该器件还可以用作S型轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装类型的通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@3000V，电流平均整流Io为250mA。
JATX1N3671A是DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA，包括12A电流平均整流Io，它们设计为在800V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准，该标准提供安装类型特征，如螺柱安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该装置也可以用作DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱。此外，包装为散装，该设备为军用MIL-PRF-19500/260系列，该设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-203AA，直流反向电压Vr Max为800V，正向电压Vf Max If为2.3V@240A。
