9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8TQ080-N3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8TQ080-N3参考价格为29.296美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8TQ080-N3封装/规格：DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO220AC。您可以下载VS-8TQ080-N3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-8TQ080GSTRLPBF是DIODE GEN PURPOSE 80V 8A D2PAK，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如to-263AA（D2PAK），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作280μA@80V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为720mV@8A，该器件提供80V电压DC反向Vr Max，该器件具有8A的电流平均整流Io，电容Vr F为500pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带用户指南的VS-8TQ080GSTRRPBF，包括720mV@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在80V电压DC反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。包装设计用于磁带和卷轴（TR）以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有280μa@80V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为500pF@5V，1MHz。
VS-8TQ080GSPBF是二极管肖特基80V 8A D2PAK，包括500pF@5V，1MHz电容Vr F，设计用于8A电流平均整流Io，二极管类型如数据表说明所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-65°C~180°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装盒，该设备也可用作管包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在TO-263AB（D2PAK）供应商设备包中提供，该设备具有80V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为720mV@8A。
