9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EGP10J，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。EGP10J参考价格为0.566美元。onsemi EGP10J包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO41。您可以下载EGP10J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP10G-M3/54，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AL、DO-41、轴向的包装盒，提供安装类型特征，如通孔，供应商设备包设计为在DO-204AL（DO-41）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@400V，该器件提供1.25V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
EGP10G-M3/73，带用户指南，包括1.25V@1A电压正向Vf Max，如果设计用于400V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
EGP10G-TP带电路图，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有DO-41供应商设备包，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@1A。
