9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8ETX06PPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8ETX06PPBF价格参考$4.468。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8ETX06PPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP。您可以下载VS-8ETX06PPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8ETU04STRRPBF是DIODE HYPERFAST 8A D2PAK，包括Automotive、AEC-Q101、FRED PtR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供零件别名功能，如8ETU4STRRPBF，单位重量设计为0.070548盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在TO-263AB（D2PAK）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.3V@8A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为43ns，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为8A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为60ns。
VS-8ETX06-1PBF是DIODE GEN PURP 600V 8A TO262，包括3V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-262的供应商设备包，该to-262提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计为在FRED PtR下工作，以及24ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-262-3长引线、I2Pak、TO-262AA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为50μa@600V，电流平均整流Io为8A。
带有电路图的VS-8ETX06FP-N3，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装型功能，如通孔，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，以及to-220-2全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为17ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220FP，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为3V@8A。
