9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N5618US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2018年1月1日美国参考价格为0.472美元。Microchip Technology JAN1N5618US封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A D5A。您可以下载JAN1N5618美国英语数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5618是DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/427系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供a、轴向等封装外壳功能，安装类型设计用于通孔中，以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@600V，该器件提供1.3V@3A正向电压Vf Max。如果，该器件具有600V的直流反向电压Vr Max，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C~200°C。
JAN1N5617US带有用户指南，其中包括1.6V@3A电压正向Vf Max。如果设计用于400V电压直流反向Vr Max，则数据表说明中显示了D-5A中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/429，以及150ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@400V，电流平均整流Io为1A。
JAN1N5617是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型特征，如通孔，安装样式设计为在通孔中工作，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为A型轴向包装箱使用。此外，包装为散装，该设备提供150ns反向恢复时间trr，该设备具有军用MIL-PRF-19500/429系列，速度为快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.6V@3A。
