9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N5550US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1月1日5550美元参考价格0.392美元。Microchip Technology JAN1N5550US包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF。您可以下载JAN1N5550美国英语数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N55546D-1，带销细节，包括军用MIL-PRF-19500/437系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，具有通孔、长度设计为5.08 mm等安装类型特征，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-35（DO-204AH）供应商设备包中提供，该设备具有±1%的公差，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大Zzt为100 Ohm，电流反向泄漏Vr为10nA@29.7V，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA，直径为2.29 mm。
JAN1N5546CUR-1带有用户指南，包括33V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了用于0.001270盎司的单位重量，提供±2%等公差特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/437以及500mW最大功率，则该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-213AA（玻璃），其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，长度为3.7mm，阻抗最大Zzt为100欧姆，直径为1.7mm，电流反向泄漏Vr为10nA@29.7V。
JAN1N5546DUR-1带电路图，包括10nA@29.7V电流反向泄漏Vr，设计用于直径为1.7 mm的工作，阻抗最大值Zzt如数据表注释所示，用于100 Ohm，提供3.7 mm等长度特性，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装样式，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA（玻璃），该设备为散装包装，该设备最大功率为500mW，系列为军用MIL-PRF-19500/437，公差为±1%，单位重量为0.001270盎司，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为33V。
