9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N6624US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N6624美国参考价格$3.008。Microchip Technology JATX1N6624US包装/规格：DIODE GEN PURP 990V 1A D5A。您可以下载JATX1N6624US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N6623是DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/585系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供a、轴向、安装类型等包装箱功能，设计用于通孔，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@880V，该器件提供1.55V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有880V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为10pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为1.8 V，Vr反向电压为880 V，Ir反向电流为500 nA，If正向电流为1.5 A，最大浪涌电流为20 A，恢复时间为60 ns。
JATX1N6623US带有用户指南，其中包括1.55V@1A电压正向Vf Max，如果它们设计为与880V电压直流反向Vr Max一起工作，数据表说明中显示了D-5A中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/585，以及50ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@880V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@10V，1MHz。
带有电路图的JATX1N6623U，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结区范围为-65°C~150°C，以及SQ-MELF，a封装盒，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/585系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5A，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.55V@1A。
