9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N6630US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N6630美国参考价格$5.282。Microchip Technology JATX1N6630US包装/规格：DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-ELF。您可以下载JATX1N6630US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N6629US，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/590系列，它们设计用于散装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SQ-MELF、E等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-5B供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供2μA@880V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.4V@1.4A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为880V，电流平均整流Io为1.4A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C。
JATX1N6629U，带有用户指南，包括1.4V@1.4A电压正向Vf Max，如果它们设计用于800V电压直流反向Vr Max，数据表说明中显示了D-5B中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/590，以及50ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，E，其工作温度结范围为-65°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μa@800V，电流平均整流Io为1.4A。
带有电路图的JATX1N6630U，包括1.4A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@900V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，以及SQ-MELF，E封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/590系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5B，电压DC反向Vr Max为900V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.4A。
JANTX1N6630US，带EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于标准二极管型，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，E的封装盒，提供军用、MIL-PRF-19500/590等系列功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及D-5B供应商设备封装，该装置也可以用作散装包装。此外，直流反向电压Vr Max为900V，其工作温度结范围为-65°C~150°C，器件反向恢复时间trr为50ns，反向泄漏电流Vr为2μa@900V，正向电压Vf Max If为1.4V@1.4A，平均整流电流Io为1.4A。
