9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS1H10HE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS1H10HE3_A/H参考价格为0.39118美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS1H10HE3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC。您可以下载SS1H10HE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS1H10HE3_A/H，带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A C（SMA），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@100V，该器件提供的电压为770mV@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
SS1H10HE3_A/I带有用户指南，包括770mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及磁带和卷轴（TR）包装，该器件也可用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为1A。
SS1H10HE3/5AT是二极管肖特基100V 1A DO214AC，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为175°C（最大值），以及DO-214AC，SMA包装盒，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有100V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为770mV@1A。
SS1H10HE3/61T是DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于表面安装安装型，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及DO-214AA（SMA）供应商设备包，该器件还可以用作770mV@1A正向电压Vf Max If。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@100V，该器件提供1A电流平均整流Io，其工作温度结范围为175°C（最大值），电压反向Vr Max为100V。
