9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS340SHE3/5BT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS340SHE3/5BT参考价格为0.592美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS340SHE3/5BT封装/规格:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB。您可以下载MURS340SHE3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS340S-E3/52T是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计为与DO-214AB、SMC包装箱一起操作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备包功能,如DO-214AA、(SMC),速度设计为快速恢复=20mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作5μA@400V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.45V@3A,该设备提供400V电压DC反向Vr Max,该设备具有3A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为75ns,其工作温度结范围为-65°C~175°C,Vf正向电压为1.45V,Vr反向电压为400V,如果正向电流为3A,恢复时间为75ns。
MURS340S-E3/5BT是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB,包括400 V Vr反向电压,它们设计用于在1.45V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的直流反向电压Vr Max,提供了1.45 V等正向电压特性,供应商设备包设计用于DO-214AB(SMC),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该设备也可以用作75ns反向恢复时间trr。此外,恢复时间为75 ns,该设备采用胶带和卷轴(TR)交替包装包装,该设备具有DO-214AB,SMC包装箱,其工作温度结范围为-65°C~175°C,安装类型为表面安装,如果正向电流为3 a,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@400V,并且电流平均整流Io为3A。
MURS340SHE3/52T是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB,包括3A电流平均整流Io,它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作5μa,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装类型功能,如表面安装,其工作温度结范围为-65°C~175°C,以及DO-214AB,SMC包装盒,该设备也可以用作胶带和卷轴(TR)包装。此外,反向恢复时间trr为75ns,该设备以快速恢复=200mA(Io)速度提供,该设备具有DO-214AB(SMC)供应商设备包,电压DC反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1.45V@3A。