9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS1H9HE3_A/I,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SS1H9HE3_A/I参考价格$1.946。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS1H9HE3_A/I封装/规格:DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO214AC。您可以下载SS1H9HE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS1H9HE3_A/H,带有引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于DO-214A C(SMA),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作肖特基二极管型。此外,电流反向泄漏Vr为1μA@90V,该器件的电压正向Vf Max为770mV@1A。如果,该器件具有90V的电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,则其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
SS1H9HE3/5AT是DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO214AC,包括770mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在90V直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,SMA封装外壳,其工作温度结范围为175°C(最大值)。此外,安装类型为表面安装,该器件为肖特基二极管类型,该器件具有1μa@90V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为1A。
SS1H9HE3/61T是二极管肖特基90V 1A DO214AC,包括1A电流平均整流Io,设计用于在1μa@90V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为175°C(最大值),以及DO-214AC,SMA封装外壳,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,速度快速恢复=200mA(Io),该设备在DO-214AC(SMA)供应商设备包中提供,该设备具有90V直流反向电压Vr Max,正向电压Vf Max If为770mV@1A。