9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-2EGH02HM3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-2EGH02HM3/5BT参考价格为0.414美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-2EGH02HM3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A SMB。您可以下载VS-2EGH02HM3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-3ECH02HM3/9AT，带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、FRED PtR系列，它们设计用于带卷（TR）包装，数据表说明中显示了用于DO-214AB、SMC的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SMC（DO-214AA），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@200V，该器件提供900mV@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
VS-3ECH01-M3/9AT，带有用户指南，包括900mV@3A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMC（DO-214AB）中使用的供应商设备包，该SMC提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计为在FRED PtR以及磁带和卷轴（TR）包装中工作，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电流平均整流Io为3A。
VS-3ECH02-M3/9AT，带电路图，包括3A电流平均整流Io，设计用于在2μa@200V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-55°C~175°C，以及DO-214AB，SMC封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列是FRED PtR，该设备提供的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的SMC（DO-214AB），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为900mV@3A。
