9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5616US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5616美国参考价格为0.5美元。Microchip Technology JATXV1N5616US包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A D5A。您可以下载JATXV1N5616US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的东西，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如JATXV1N5616US价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
JATXV1N5615US是DIODE FAST REC 200V 1A D-5A，包括军用MIL-PRF-19500/429系列，它们设计用于散装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SQ-MELF、a等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-5A供应商设备封装，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供500nA@600V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.6V@3A的正向电压Vf Max If，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为45pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATXV1N5615是DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL，包括1.6V@3A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/429等系列功能，反向恢复时间trr设计为150ns，以及散装包装，该器件也可以用作A型轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为45pF@12V，1MHz。
带有电路图的JATXV1N5614US，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该装置也可用作SQ-MELF、A包装箱。此外，包装为散装，设备提供2μs反向恢复时间trr，设备具有军用MIL-PRF-19500/427系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为D-5A，直流反向电压Vr最大值为200V，正向电压Vf最大值为1.3V@3A。
