9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5621US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5621美国参考价格为0.2444美元。Microchip Technology JATXV1N5621US包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A D5A。您可以下载JATXV1N5621US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N5621带有引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/429系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供a、轴向等封装外壳功能，安装类型设计用于通孔中，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@800V，该器件提供1.6V@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有800V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为300ns，电容Vr F为20pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATXV1N5620是通用二极管800V 1A，包括1.3V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/427等系列功能，反向恢复时间trr设计为2μs，除了散装包装外，该器件还可以用作A轴封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装类型的通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@800V，电流平均整流Io为1A。
JATXV1N5620US带有电路图，包括SMD/SMT安装样式，设计用于D-5A-2包装箱，包装如数据表注释所示，用于散装。
