9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-MBRB1645PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-MBRB1645PBF参考价格为0.264美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-MBRB1645PBF封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 16A D2PAK。您可以下载VS-MBRB1645PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-MBRB1635TRRPBF，带引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起操作，包装箱如数据表注释所示，用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB，提供表面安装等安装类型功能，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为200μA@35V，该器件提供630mV@16A电压正向Vf Max If，该器件具有35V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为16A，电容Vr F为1400pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
VS-MBRB1635TRR-M3，带用户指南，包括630mV@16A正向电压Vf Max。如果设计为在35V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263（D2Pak）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装以及to-263-3中工作，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有200μa@35V的电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为16A，电容Vr F为1400pF@5V，1MHz。
VS-MBRB1645-M3带有电路图，包括1400pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于16A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于200μa@35V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为管交替包装，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有TO-263（D2Pak）供应商设备包装，电压DC反向Vr最大值为45V，电压正向Vf最大值为630mV@16A。
