9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N6643US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N6643美国参考价格为0.5美元。Microchip Technology JATXV1N6643US包装/规格：DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF。您可以下载JATXV1N6643US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N6643，带有引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/578系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，D的包装箱，该包装箱提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于D-Pak，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，器件提供1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为300mA，反向恢复时间trr为20ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATXV1N6643U是DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF，包括1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-5D的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/578，以及20ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，D，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，电流平均整流Io为300mA，电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
JATXV1N6642US是DIODE GEN PURP 100V 300MA D5B，包括300MA电流平均整流Io，它们设计为在500nA@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及SQ-MELF，B包装箱，该设备也可用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为20ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/578系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5B，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.2V@100mA。
