9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5802US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5802US参考价格$1.8。Microchip Technology JATXV1N5802US封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A D5A。您可以下载JATXV1N5802US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N5774是TVS DIODE 1WMM 14CFLATPACK，包括军用MIL-PRF-19500/474系列，它们设计用于转向（轨对轨）型，包装如数据表注释所示，用于管中，具有14CFLATPACK等包装箱功能，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），以及表面安装安装型，该设备也可以用作以太网应用。此外，供应商设备包为14 CFlatPack，该设备提供单向信道，该设备有8个双向信道，电压反向间隔类型为1V（最大值），电源线保护为否。
带有用户指南的JATXV1N5802URS，包括875mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于a-MELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/477，以及25ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μA@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为25pF@10V，1MHz。
带有电路图的JATXV1N5802，包括25pF@10V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@50V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，该装置也可用作A轴向包装箱。此外，包装为散装，该设备提供25ns反向恢复时间trr，该设备具有军用MIL-PRF-19500/477系列，速度为快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为875mV@1A。
