9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N914UR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N914UR参考价格$3.80118。Microchip Technology JATXV1N914UR封装/规格：DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA。您可以下载JATXV1N914UR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N914，带有引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/116系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，具有通孔、长度设计为4.44 mm等安装类型特征，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-35（DO-204AH），该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，电压正向Vf Max If为1.2V@50mA，电压直流反向Vr Max为75V，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为20ns，电容Vr F为2.8pF@1.5V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，直径为2.03mm。
JATXV1N829-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35，包括6.2V电压齐纳标称Vz，设计用于0.004586盎司单位重量，公差显示在数据表注释中，使用±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/159，以及500MW最大功率，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，长度为4.44 mm，阻抗最大Zzt为15 Ohm，直径为2.03 mm，电流反向泄漏Vr为2μa@3V。
带有电路图的JATXV1N829UR-1，包括2μA@3V电流反向泄漏Vr，其设计为在1.7 mm直径下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于15 Ohm，提供3.7 mm等长度特性，安装类型设计为在表面安装以及SMD/SMT安装样式中工作，该设备也可作为DO-213AA封装盒使用。此外，包装为散装，该设备以500mW最大功率提供，该设备具有军用MIL-PRF-19500/159系列，供应商设备包装为DO-213AA，公差为±5%，单位重量为0.001270盎司，电压齐纳标称Vz为6.2V。
