9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8TQ080PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8TQ080PBF参考价格为0.212美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8TQ080PBF封装/规格：DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO220AC。您可以下载VS-8TQ080PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8TQ080-N3是DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO220AC，包括管式封装，它们设计为与to-220-2封装盒一起工作，数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供安装类型的功能，如通孔，供应商设备封装设计为在to-220AC中工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，正向电压Vf Max If为720mV@8A，该器件提供80V电压DC反向Vr Max，该器件具有8A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-65°C~180°C，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为580 mV，Ir反向电流为7mA，If正向电流为8A，Vrm重复反向电压为80V，Ifsm正向浪涌电流为850A。
VS-8TQ080GSTRLPBF是DIODE GEN PURPOSE 80V 8A D2PAK，包括720mV@8A电压正向Vf Max。如果设计为在80V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有280μa@80V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为500pF@5V，1MHz。
VS-8TQ080GSTRRPBF带电路图，包括500pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于280μa@80V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的TO-263AB（D2PAK），电压DC反向Vr Max为80V，电压正向Vf Max If为720mV@8A。
VS-8TQ080GSPBF是DIODE SCHOTTKY 80V 8A D2PAK，包括管包装，它们设计用于to-263AB（D2PAK）供应商设备包，数据表说明中显示了用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AA的包壳，提供表面安装等安装类型功能，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）、，与肖特基二极管类型一样，该器件也可以用作8A电流平均整流Io。此外，电压DC反向Vr Max为80V，该器件在8A电压正向Vf Max时为720mV，工作温度结范围为-65°C~180°C，电容Vr F为500pF@5V，1MHz。
