9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N6622US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N6622美国参考价格为0.554美元。Microchip Technology JATXV1N6622US封装/规格：DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A。您可以下载JATXV1N6622US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATXV1N6621US，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/585系列，它们设计用于散装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SQ-MELF、a等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-5A供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供500nA@440V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.4V@1.2A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为440V，电流平均整流Io为1.2A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C。
带有用户指南的JATXV1N6622U，包括1.4V@1.2A电压正向Vf Max，如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D-5A中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/585，以及30ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@600V，电流平均整流Io为1.2A。
JATXV1N6622是DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL，包括1.2A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@660V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及a，轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/585系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），电压DC反向Vr Max为660V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.2A。
