9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-1EFH02W-M3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-1EFH02W-M3-18参考价格$2.516。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-1EFH02W-M3-18封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A SMF。您可以下载VS-1EFH02W-M3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-1EFH02HM3/I是DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB，包括Automotive、AEC-Q101、FRED PtR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.005291盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及FRED Pt商品名，它的工作温度范围为-65 C至+175 C。此外，封装外壳为DO-219AB，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-219A B（SMF），配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电压正向Vf Max If为930mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为870 mV，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为2uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为35A，恢复时间为25ns。
带有用户指南的VS-1EFH02-M3/I，包括200 V Vr反向电压，它们设计为在1A电压正向Vf Max时以930mV的电压运行。如果数据表说明中显示了用于200V的电压DC反向Vr Max，提供了740 mV等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.005291盎司，以及FRED Pt商品名，该设备也可以用作DO-219AB（SMF）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为FRED PtR系列，该设备具有16ns的反向恢复时间trr，恢复时间为25ns，产品为超快恢复整流器，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为DO-219AB，其工作温度范围为-65 C至+175 C，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为35 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μA@200V，电流平均整流Io为1A，配置为单一。
带有电路图的VS-1EFH02WHM3-18，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@200V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-219AB封装外壳，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，反向恢复时间trr为16ns，该设备采用FRED PtR系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为SMF（DO-219AB），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为930mV@1A。
