9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS3H10HE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS3H10HE3_A/H参考价格$1.56。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS3H10HE3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB。您可以下载SS3H10HE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS3H10HE3_A/H，带引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供零件别名功能，如SS3H10HE3_B/H，单位重量设计为0.008289盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作DO-214AB，SMC包装箱。此外，该技术为Si，该器件为表面安装型，该器件具有DO-214AB（SMC）供应商器件封装，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为20μa@100V，电压正向Vf Max If为650mV@3A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为800 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为4 mA，如果正向电流为3 A，Vrm重复反向电压为100V，Ifsm正向浪涌电流为100A。
SS3H10HE3/57T是DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB，包括800mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，SMC封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有20μa@100V的反向漏电Vr，电流平均整流Io为3A。
SS3H10HE3/9AT是二极管肖特基100V 3A DO214AB，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在20μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-214AB，SMC包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-214AB（SMC）供应商设备包中提供，该设备具有100V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为800mV@3A。
