9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NS8DTHE3/45,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。NS8DTHE3/45参考价格$4.998。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NS8DTHE3/45封装/规格:DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC。您可以下载NS8DTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NS8DT-E3/45是DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC,包括标准回收整流器产品,它们设计用于管式包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.211644盎司,提供安装类型功能,如通孔,包装箱设计用于to-220-2,以及通孔安装类型,该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@200V,电压正向Vf Max If为1.1V@8A,电压直流反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为8A,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为200 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为8 A,最大浪涌电流为125 A。
带有用户指南的NS8BTHE3_A/P,包括1.1V@8A正向电压Vf Max,如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包,该产品提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及管包装,该器件也可用作TO-220-2封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@100V,电流平均整流Io为8A,电容Vr F为55pF@4V,1MHz。
NS8BTHE3/45是DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC,包括8A电流平均整流Io,它们设计为在10μa@100V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如通孔,其工作温度结范围为-55°C~150°C,以及to-220-2封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),该设备在TO-220AC供应商设备包中提供,该设备具有100V直流反向电压Vr Max,正向电压Vf Max If为1.1V@8A。