9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的RJU3052SDPD-E0#J2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。RJU3052SDPD-E0#J2参考价格为0.734美元。Renesas Electronics America Inc RJU3052SDPD-E0#J2封装/规格：二极管GEN PURP 360V 20A TO252。您可以下载RJU3052SDPD-E0#J2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RJU003N03T106是MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323，包括RJU003NO3系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SC-70、SOT-323等封装外壳功能。技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在UMT3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为200mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为24pF@10V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为300mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1.1 Ohm@300mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@1mA，Pd功耗为200mW，下降时间为4 ns，上升时间为4纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为300 mA，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通漏极-源极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
RJU3052SDPD-E0#J2，带有用户指南，包括1.7V@20A电压正向Vf Max。如果设计为在360V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-252的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@360V，电流平均整流Io为20A。
带有电路图的RJU3051SDPE-00#J3，包括10A（DC）电流平均整流Io，它们设计为在1μa@360V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及SC-83封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的4-LDPAK，电压DC反向Vr Max为360V，电压正向Vf Max If为1.7V@10A。
RJU003N03GZT106，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。RJU003N03GZT106在SOT323封装中提供，是IC芯片的一部分。
